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BLC10G18XS-602AVT आरएफ MOSFET LDMOS

एचएफ/वीएचएफ पावर एलडीएमओएस BLC10G18XS-602AVT Ampleon द्वारा निर्मित एक उच्च-प्रदर्शन LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है, जिसे 1805-1880 मेगाहर्ट्ज फ़्रीक्वेंसी रेंज (1.8 GHz बैंड) में मैक्रो बेस स्टेशन अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह 4जी एलटीई...

BLC10G22XS-400AVT पावर LDMOS ट्रांज़िस्टॉट

पावर एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर BLC10G22XS-400AVT Ampleon का एक असममित Doherty LDMOS पावर ट्रांजिस्टर है, जो 2110–2200MHz (2.2GHz) 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशनों और मल्टी-कैरियर RF पावर एम्पलीफायरों के लिए अनुकूलित है। SOT1258-4 पैकेज में स्थित, यह उच्च...

BLC10G22XS-603AVT आरएफ MOSFET LDMOS 30V

एचएफ/वीएचएफ पावर एलडीएमओएस भाग संख्या: BLC10G22XS-603AVT (प्रत्यय Z/Y: BLC10G22XS-603AVTY) निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: एलडीएमओएस, असममित डोहर्टी पावर ट्रांजिस्टर, 2.11-2.17 गीगाहर्ट्ज, 600 डब्ल्यू पीक पावर, 5जी एनआर/4जी एलटीई मैक्रो बेस स्टेशन...

BLF974P BLF974PU हाई पावर LDMOS

BLF974P, Ampleon, 500W HF/VHF ब्रॉडबैंड LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर, 50V एडवांस्ड LDMOS टेक्नोलॉजी, 10kHz-700MHz अल्ट्रा-वाइड फ्रीक्वेंसी कवरेज, ब्रॉडकास्ट/औद्योगिक/वैज्ञानिक/मेडिकल (ISM) समर्पित हाई-पावर कंपोनेंट, बिल्ट-इन ESD प्रोटेक्शन और हाई...

BLP9H10-30G आरएफ MOSFET LDMOS

भाग संख्या：BLP9H10-30G निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: 9वीं पीढ़ी 50V एलडीएमओएस आरएफ पावर ट्रांजिस्टर, 30W, प्लास्टिक पैकेज, उप‑1GHz 4G/3G/2G बेस स्टेशन ड्राइवर या कम पावर अंतिम एम्पलीफायरों के लिए अनुकूलित। मुख्य विशिष्टताएँ फ़्रिक्वेंसी रेंज：616...

BLC10G22XS-301AVT आरएफ MOSFET LDMOS DFM6

सामान्य विवरण BLC10G22XS-301AVT एम्पलॉन की 10वीं पीढ़ी (GEN10) प्रक्रिया से एक 300W P1dB असममित डोहर्टी LDMOS ट्रांजिस्टर है, जो 2110-2170MHz (5G n1/n66, 4G B1/B66) पर काम करता है। SOT1275-1 थर्मली एन्हांस्ड पैकेज में स्थित, यह मैक्रो बेस स्टेशन और...

GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN

भाग संख्या：CLL3H0914L-700 निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: L-बैंड, 700W GaN-SiC HEMT (गैलियम नाइट्राइड सिलिकॉन कार्बाइड हाई इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी ट्रांजिस्टर), आंतरिक रूप से प्री-मैचेड, 0.9-1.4 GHz, पल्स रडार / एयरोस्पेस हाई-पावर अंतिम चरण ट्रांजिस्टर।...

बीएलएफ188एक्सआर आरएफ मॉसफेट एलडीएमओएस 50वी सीडीएफएम4

BLF188XR अनुप्रयोग उत्पाद BLF188XR एक 1400W LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है जो Ampleon (पूर्व में NXP) द्वारा निर्मित है, जो HF ~ 600 MHz की आवृत्ति रेंज में काम करता है। यह मुख्य रूप से प्रसारण प्रसारण, औद्योगिक, वैज्ञानिक, चिकित्सा (आईएसएम) क्षेत्रों...

BLM9D1822-30B 9वीं पीढ़ी का LDMOS AMPLEON

BLM9D1822-30BZ एम्प्लियन (नीदरलैंड्स) से 9वीं पीढ़ी का LDMOS 2-चरण एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी है, जो 4G/5G छोटी कोशिकाओं, मैक्रो बेस स्टेशन ड्राइवर चरणों और 1.8-2.2 GHz बैंड में सामान्य आरएफ प्रवर्धन के लिए अनुकूलित है। यह उच्च एकीकरण, ब्रॉडबैंड...

BLF647P आरएफ MOSFET LDMOS 32V LDMOST

BLF647P अंग्रेजी अनुवाद BLF647P एक 200 W वाइडबैंड LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है जो Ampleon (पूर्व में NXP) द्वारा निर्मित है। इसकी ऑपरेटिंग फ़्रीक्वेंसी रेंज एचएफ से 1500 मेगाहर्ट्ज तक कवर करती है, जो मुख्य रूप से प्रसारण ट्रांसमिशन, औद्योगिक,...

BLP9G0722-20G आरएफ MOSFET LDMOS 28V

BLP9G0722-20G Ampleon का 20W प्लास्टिक-पैकेज्ड LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है, जो 100MHz से 2700MHz तक संचालित होता है। यह वायरलेस बेस स्टेशनों और ब्रॉडबैंड आरएफ ड्राइवर एम्पलीफायरों के लिए अनुकूलित है। मुख्य अनुप्रयोग • वायरलेस बेस स्टेशन: FDD/TDD...

BLM8G0710S-15PB 2 स्टेज डुअल सेक्शन पावर MMIC

भाग संख्या：BLM8G0710S-15PB निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: 8वीं पीढ़ी का एलडीएमओएस, 2-स्टेज / डुअल-सेक्शन पावर एमएमआईसी, 700-1000 मेगाहर्ट्ज उप-1GHz, 15W-क्लास सामान्य-उद्देश्य ड्राइवर / छोटे सेल अंतिम एम्पलीफायर। मुख्य विशिष्टताएँ (Tcase=25°C,...

B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS

भाग संख्या：B11G1822N60D निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: एलडीएमओएस, डुअल-सेक्शन 2-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी, 1.8-2.2 गीगाहर्ट्ज, 60 डब्ल्यू रैखिक पावर, मैक्रो बेस स्टेशन / 5 जी एमएमआईएमओ सामान्य-उद्देश्य ड्राइवर एम्पलीफायरएम्प्लियन।...

C4H18W500A आरएफ MOSFET 48V SOT1273

भाग संख्या：C4H18W500A निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: गैलियम नाइट्राइड (GaN) HEMT, 48V असममित डोहर्टी आरएफ पावर ट्रांजिस्टर अनुप्रयोग: 4जी/5जी मैक्रो बेस स्टेशन एएयू और आरआरयू के लिए अंतिम पावर एम्पलीफायर, 1800 ~ 2000 मेगाहर्ट्ज मुख्य विशिष्टताएँ...

BLC10G15XS-301AVT आरएफ MOSFET LDMOS 30V

भाग संख्या：BLC10G15XS-301AVT निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: 10वीं पीढ़ी का एलडीएमओएस, 30V असममित डोहर्टी आरएफ पावर ट्रांजिस्टर फ़्रिक्वेंसी बैंड：1452~1492 मेगाहर्ट्ज（5जी एन5/4जी बी5 बैंड） अनुप्रयोग: 4जी/5जी मैक्रो बेस स्टेशन एएयू और आरआरयू के लिए...

BLC9H10XS-606AZ आरएफ MOSFET LDMOS 48V

भाग संख्या : BLC9H10XS-606A निर्माता : एम्प्लियन डिवाइस का प्रकार : 9वीं पीढ़ी का 48V LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर, एकीकृत इनपुट मिलान के साथ असममित डोहर्टी डिज़ाइन, उप-1GHz 4G/5G बेस स्टेशन अंतिम पावर एम्पलीफायर के लिए अनुकूलित। मुख्य विशिष्टताएँ...

ART1K9FH ART1K9FHU पीक पावर LDMOS आरएफ ट्रांजिस्टर

ART1K9FHU उन्नत रग्ड टेक्नोलॉजी (ART) पर आधारित Ampleon द्वारा निर्मित 1900 W पीक पावर LDMOS RF ट्रांजिस्टर है। इसे विशेष रूप से 1 मेगाहर्ट्ज-500 मेगाहर्ट्ज (वीएचएफ बैंड के लिए कम आवृत्ति) आईएसएम, प्रसारण और संचार अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया...

BLF989E आरएफ MOSFET ट्रांजिस्टर

BLF989E एक 1000 W पीक पावर LDMOS RF ट्रांजिस्टर है जो Ampleon द्वारा निर्मित है, जो 9वीं पीढ़ी की हाई-वोल्टेज (50V) LDMOS प्रक्रिया प्रौद्योगिकी को अपनाता है। यह विशेष रूप से 400-860 मेगाहर्ट्ज (यूएचएफ बैंड) असममित प्रसारण डोहर्टी ट्रांसमीटर...

BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U पावर LDMOS ट्रांजिस्टर

मॉडल: BLF0910H9LS600 निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: सिंगल-एंडेड एलडीएमओएस पावर ट्रांजिस्टर, 902-928 मेगाहर्ट्ज आईएसएम बैंड (औद्योगिक, वैज्ञानिक और चिकित्सा अनुप्रयोगों के लिए मुख्य आवृत्तियों, 915 मेगाहर्ट्ज मुख्यधारा के औद्योगिक हीटिंग और...

C4H27W400AVZ आरएफ MOSFET 50V

मॉडल: C4H27W400AV (बेस मॉडल: C4H27W400A) निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: गैलियम नाइट्राइड (GaN) पैकेज्ड असममित डोहर्टी आरएफ पावर ट्रांजिस्टर (2.3-2.69 गीगाहर्ट्ज ब्रॉडबैंड बेस स्टेशन अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित) मुख्य विशिष्टताएँ विशेषताएं एवं...

C4H2327N110AZ गैलियम नाइट्राइड आरएफ पावर ट्रांजिस्टर

मॉडल: C4H2327N110A (पूर्ण भाग संख्या: C4H2327N110AX/C4H2327N110AZ) निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: गैलियम नाइट्राइड (GaN) आरएफ पावर ट्रांजिस्टर (डोहर्टी आर्किटेक्चर, डुअल-गेट डिज़ाइन) एम्प्लियन मुख्य विशिष्टताएँ विशेषताएं एवं लाभ अनुकूलित डोहर्टी...

B10G2327N55DZ आरएफ MOSFET LDMOS

B10G2327N55D एक 2-चरण पूरी तरह से एकीकृत असममित डोहर्टी MMIC एम्पलीफायर है जो एम्पलॉन की अत्याधुनिक LDMOS तकनीक पर आधारित है, जो 2300-2700MHz (2.3–2.7GHz) मल्टी-बैंड 5G NR/LTE बेस स्टेशनों, बड़े पैमाने पर MIMO सिस्टम और उच्च दक्षता वाले आरएफ...

C4H27F400AV 400W उच्च आउटपुट पावर उच्च लाभ

C4H27F400AVZ एक पैकेज्ड असममित डोहर्टी आरएफ पावर ट्रांजिस्टर है जो एम्प्लियन की अत्याधुनिक गैलियम नाइट्राइड (GaN) तकनीक पर आधारित है, जो 2496-2690 मेगाहर्ट्ज (2.5-2.7GHz) 5G NR मिड-बैंड मैक्रो बेस स्टेशनों, बड़े पैमाने पर MIMO सिस्टम और उच्च दक्षता...

BLC8G21LS-160AVZ आरएफ MOSFET LDMOS

BLC8G21LS-160AVZ एक डुअल एन-चैनल LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है जो Ampleon की Gen8 LDMOS तकनीक पर आधारित है, जो 1805–2025MHz (1.8–2.025GHz) 4G/5G बेस स्टेशनों, मल्टी-कैरियर संचार प्रणालियों और उच्च दक्षता वाले Doherty पावर एम्पलीफायरों के लिए अनुकूलित...