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आरएफ MOSFET ट्रांजिस्टर BLM10D1822-61ABG

आरएफ MOSFET ट्रांजिस्टर BLM10D1822-61ABG फ़्रिक्वेंसी बैंड 1800 से 2200 मेगाहर्ट्ज 1800 से 2200 मेगाहर्ट्ज ब्रॉडबैंड ड्राइवर चिप भाग संख्या：BLM10D1822-61ABG निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: 10वीं पीढ़ी का एलडीएमओएस, डुअल-चैनल एकीकृत उच्च-रैखिक शक्ति...

एसएस श्रृंखला सतह माउंट सिंगल-लेयर सिरेमिक कैपेसिटर

एकल परत संधारित्र एसएस श्रृंखला सतह माउंट सिंगल-लेयर सिरेमिक कैपेसिटर एसएस श्रृंखला सतह माउंट सिंगल-लेयर सिरेमिक कैपेसिटर कॉम्पैक्ट एसएमडी संरचना को अपनाते हैं, जिसमें अल्ट्रा-लो ईएसएल, कम इंसर्शन लॉस और मिलीमीटर-वेव बैंड तक उत्कृष्ट ब्रॉडबैंड...

एकल-परत सिरेमिक ढांकता हुआ संधारित्र

एकल परत संधारित्र एसए श्रृंखला सरणी-प्रकार एकल-परत सिरेमिक ढांकता हुआ संधारित्र उत्पाद व्यवहार्यता इसे रेडियो फ्रीक्वेंसी/माइक्रोवेव फ्रीक्वेंसी पर डिकॉउलिंग सर्किट, आरएफ बाईपास सर्किट, डीसी-ब्लॉकिंग सर्किट आदि में लगाया जाता है। उत्पाद की विशेषताएँ...

BLC9H10XS-600A आरएफ MOSFET LDMOS

भाग संख्या：BLC9H10XS-600A निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: 9वीं पीढ़ी 48V एलडीएमओएस आरएफ पावर ट्रांजिस्टर, असममित डोहर्टी डिज़ाइन, एकीकृत 50Ω इनपुट मिलान के साथ, उप‑1GHz 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशन अंतिम एम्पलीफायरों एम्प्लियन के लिए अनुकूलित। मुख्य...

BLC9H10XS-60P आरएफ MOSFET LDMOS 50V SOT1273

भाग संख्या：BLC9H10XS-60PY निर्माता：Ampleon डिवाइस का प्रकार: 9वीं पीढ़ी का एलडीएमओएस, सममित 60W पावर ट्रांजिस्टर, 400-1000 मेगाहर्ट्ज उप‑1GHz, क्लास‑AB रैखिक एम्पलीफायर, सामान्य प्रयोजन मध्यम‑पावर फाइनल/ड्राइवर चरण (BLC9H10XS-60P का लीड‑मुक्त...

आरएफ MOSFET ट्रांजिस्टर BLM9H0610S-60PG

भाग संख्या：BLM9H0610S-60PG निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: 9वीं पीढ़ी का हाई-वोल्टेज एलडीएमओएस, डुअल-सेक्शन 2-स्टेज पावर एमएमआईसी, ऑन-चिप मिलान के साथ, सब-1GHz 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशन ड्राइवर या छोटे सेल फाइनल एम्पलीफायर के लिए अनुकूलित। मुख्य...

BLM2425M7S60PY LDMOS 2-स्टेज पावर MMIC

BLM2425M7S60P Ampleon द्वारा लॉन्च किया गया 60W LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है। एम7-पीढ़ी आरएफ प्रक्रिया को अपनाते हुए, इसे विशेष रूप से 2400-2500 मेगाहर्ट्ज (2.45GHz आईएसएम बैंड) में निरंतर-तरंग (सीडब्ल्यू) उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए विकसित किया...

BLM8G0710S-30PBG आरएफ छोटा सिग्नल फ़ील्ड प्रभाव ट्रांजिस्टर

भाग संख्या：BLM8G0710S-30PBG निर्माता：Ampleon डिवाइस का प्रकार: 8वीं पीढ़ी का एलडीएमओएस, डुअल-सेक्शन 2-स्टेज पावर एमएमआईसी, 700-1000 मेगाहर्ट्ज सब-1GHz, 30W-क्लास हाई-लीनियरिटी ड्राइवर / छोटा सेल फाइनल एम्पलीफायर (बीएलएम8जी0710एस-30पीबी का गुल-विंग...

BLC9H10XS-505AZ आरएफ MOSFET LDMOS

भाग संख्या：BLC9H10XS-505AZ निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: 9वीं पीढ़ी का 48V LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर, असममित डोहर्टी डिज़ाइन, एकीकृत 50Ω इनपुट मिलान के साथ, उप-1GHz 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशन अंतिम एम्पलीफायर के लिए अनुकूलित मुख्य विशिष्टताएँ...

BLP9H10S-350A आरएफ MOSFET LDMOS 48V

ब्रांड और मॉडल：Ampleon BLP9H10S-350A डिवाइस प्रकार: असममित डोहर्टी, आंतरिक रूप से मिलान, एन-चैनल एलडीएमओएस आरएफ पावर ट्रांजिस्टर पैकेज: OMP780-4F-1 (7-पिन सिरेमिक पैकेज, उच्च ताप अपव्यय) फ़्रिक्वेंसी रेंज: 600 मेगाहर्ट्ज ~ 960 मेगाहर्ट्ज आपूर्ति...

C4H18W500A आरएफ MOSFET 48V

भाग संख्या：C4H18W500A निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: GaN (गैलियम नाइट्राइड), असममित डोहर्टी पावर ट्रांजिस्टर, 1800-2000 मेगाहर्ट्ज, 500 W पीक पावर, 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशन RF अंतिम-चरण प्रवर्धन के लिए समर्पित। मुख्य विशिष्टताएँ (Tcase=25°C,...

BLC9H10XS-606AZ आरएफ MOSFET LDMOS

भाग संख्या: BLC9H10XS-606A निर्माता: एम्प्लियन डिवाइस का प्रकार: 9वीं पीढ़ी का 48V LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर, एकीकृत इनपुट मिलान के साथ असममित डोहर्टी डिज़ाइन, उप-1GHz 4G/5G बेस स्टेशन अंतिम पावर एम्पलीफायर के लिए अनुकूलित। मुख्य विशिष्टताएँ...

BLC10G22XS-570AVT आरएफ MOSFET LDMOS 30V SOT1258

भाग संख्या：BLC10G22XS-570AVT निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: LDMOS, 30V असममित डोहर्टी आरएफ पावर ट्रांजिस्टर अनुप्रयोग: 4जी/5जी मैक्रो बेस स्टेशन एएयू और आरआरयू के लिए अंतिम पावर एम्पलीफायर, 2110 ~ 2180 मेगाहर्ट्ज (एन1/एन3/बी1/बी3 बैंड) मुख्य...

LDMOS BLC9H10XS-606AZ आरएफ MOSFET

भाग संख्या: BLC9H10XS-606A निर्माता: एम्प्लियन डिवाइस का प्रकार: 9वीं पीढ़ी का 48V LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर, एकीकृत इनपुट मिलान के साथ असममित डोहर्टी डिज़ाइन, उप-1GHz 4G/5G बेस स्टेशन अंतिम पावर एम्पलीफायर के लिए अनुकूलित। मुख्य विशिष्टताएँ...

AMPLEON BLC9H10XS-606AZ आरएफ MOSFET LDMOS

भाग संख्या: BLC9H10XS-606A निर्माता: एम्प्लियन डिवाइस का प्रकार: 9वीं पीढ़ी का 48V LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर, एकीकृत इनपुट मिलान के साथ असममित डोहर्टी डिज़ाइन, उप-1GHz 4G/5G बेस स्टेशन अंतिम पावर एम्पलीफायर के लिए अनुकूलित। मुख्य विशिष्टताएँ...

BLM9D2022-08AMZ 2स्टेज पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एलडीएमओएस एमएमआईसी

2-स्टेज डोहर्टी एमएमआईसी एलडीएमओएस 2-चरण एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी BLM9D2022-08AMZ Ampleon का 2-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी LDMOS MMIC पावर एम्पलीफायर है, जो Gen9 LDMOS तकनीक पर निर्मित है, जो 2110-2170 मेगाहर्ट्ज फ्रीक्वेंसी बैंड (जैसे, 5G...

B10G3438N55D B10G3438N55DZ आरएफ MOSFET LDMOS

2-स्टेज डोहर्टी एमएमआईसी मॉडल: B10G3438N55D निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 10वीं पीढ़ी 50V एलडीएमओएस 3-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत एसिमेट्रिकल डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर, 3.4-3.8 गीगाहर्ट्ज बैंड (5जी एनआर एन78 कोर बैंड और 4जी...

BLM9D1819-08AMZ 2-चरण पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी

2-स्टेज डोहर्टी एमएमआईसी भाग संख्या: BLM9D1819-08AMZ (जिसे BLM9D1819-08AM भी कहा जाता है; प्रत्यय Z टेप-और-रील पैकेजिंग को इंगित करता है) निर्माता: एम्प्लियन डिवाइस का प्रकार: 9वीं पीढ़ी का एलडीएमओएस, 2-चरण पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी लक्ष्य...

B10G2022N10DLZ 2स्टेज 10W पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी MMIC

2-चरण डोहर्टी एमएमआईसी भाग संख्या：B10G2022N10DL निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: 2‑स्टेज 10W पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी (एलडीएमओएस), 2110-2170 मेगाहर्ट्ज (5जी एन1/4जी बी1), छोटे सेल / एमएमआईएमओ अंतिम एम्पलीफायर, उच्च‑एकीकरण उच्च दक्षता...

BLC10G22XS-551AVT आरएफ MOSFET LDMOS32V

पावर एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर BLC10G22XS-551AVT Ampleon द्वारा निर्मित एक उच्च-प्रदर्शन LDMOS पावर ट्रांजिस्टर है, जो 2.2GHz फ़्रीक्वेंसी बैंड में बेस स्टेशन और मल्टी-कैरियर RF पावर एम्पलीफायर अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित है। SOT1258-4 पैकेज में रखा...

BLC10G18XS-301AVT आरएफ MOSFET LDMOS

एचएफ/वीएचएफ पावर एलडीएमओएस BLC10G18XS-301AVT नीदरलैंड के एम्पलॉन द्वारा निर्मित 10वीं पीढ़ी का सिलिकॉन-आधारित एलडीएमओएस आरएफ पावर ट्रांजिस्टर है। यह एक असममित डोहर्टी आंतरिक मिलान वास्तुकला को अपनाता है, जो 1805-1880 मेगाहर्ट्ज पर संचालित होता है,...

BLC10G18XS-551AVT आरएफ MOSFET LDMOS

पावर एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर BLC10G18XS-551AVT Ampleon का एक असममित डोहर्टी LDMOS पावर ट्रांजिस्टर है, जो 1805-1880MHz (1.8GHz) 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशनों और मल्टी-कैरियर RF पावर एम्पलीफायरों के लिए अनुकूलित है। SOT1258-4 पैकेज में स्थित, यह उच्च...

BLC10G18XS-400AVT आरएफ MOSFET LDMOS

पावर एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर BLC10G18XS-400AVT Ampleon का एक असममित डोहर्टी LDMOS पावर ट्रांजिस्टर है, जो 1805-1880MHz (1.8GHz) 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशनों और मल्टी-कैरियर RF पावर एम्पलीफायरों के लिए अनुकूलित है। SOT1258-4 (एयर कैविटी प्लास्टिक इयरलेस)...

BLC10G19XS-601AVTZ आरएफ MOSFET LDMOS 30V

एचएफ/वीएचएफ पावर एलडीएमओएस भाग संख्या：BLC10G19XS-601AVT（प्रत्यय Z/Y: BLC10G19XS-601AVTZ） निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: एलडीएमओएस, असममित डोहर्टी पावर ट्रांजिस्टर, 1.93-1.995 गीगाहर्ट्ज, 650 डब्ल्यू पीक पावर, मैक्रो बेस स्टेशन / 5जी एनआर आरएफ...