ब्रॉडबैंड पावर GaN HEMT

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CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT

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Model No:CLL3H0914LS-700U

भाग संख्या：CLL3H0914LS-700U निर्माता：Ampleon डिवाइस का प्रकार: L-बैंड, 700W GaN-SiC HEMT (गैलियम नाइट्राइड सिलिकॉन कार्बाइड हाई इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी ट्रांजिस्टर), आंतरिक रूप से प्री-मैचेड + स्थिरता नेटवर्क, 0.9-1.4 GHz, ईयरलेस फ़्लैंग्ड पैकेज, पल्स...

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C4H18W500A आरएफ MOSFET 48V

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Model No:C4H18W500AZ C4H18W500AY

भाग संख्या：C4H18W500A निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: GaN (गैलियम नाइट्राइड), असममित डोहर्टी पावर ट्रांजिस्टर, 1800-2000 मेगाहर्ट्ज, 500 W पीक पावर, 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशन RF अंतिम-चरण प्रवर्धन के लिए समर्पित। मुख्य विशिष्टताएँ (Tcase=25°C,...

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GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN

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Model No:CLL3H0914L-700U

भाग संख्या：CLL3H0914L-700 निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: L-बैंड, 700W GaN-SiC HEMT (गैलियम नाइट्राइड सिलिकॉन कार्बाइड हाई इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी ट्रांजिस्टर), आंतरिक रूप से प्री-मैचेड, 0.9-1.4 GHz, पल्स रडार / एयरोस्पेस हाई-पावर अंतिम चरण ट्रांजिस्टर।...

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C4H18W500A आरएफ MOSFET 48V SOT1273

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Model No:C4H18W500A

भाग संख्या：C4H18W500A निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: गैलियम नाइट्राइड (GaN) HEMT, 48V असममित डोहर्टी आरएफ पावर ट्रांजिस्टर अनुप्रयोग: 4जी/5जी मैक्रो बेस स्टेशन एएयू और आरआरयू के लिए अंतिम पावर एम्पलीफायर, 1800 ~ 2000 मेगाहर्ट्ज मुख्य विशिष्टताएँ...

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स्टेप 1

ब्रॉडबैंड पावर GaN HEMT

ब्रॉडबैंड पावर GaN HEMT उच्च दक्षता वाला गैलियम नाइट्राइड उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता ट्रांजिस्टर है। इसमें व्यापक आवृत्ति कवरेज, उच्च आउटपुट पावर और उत्कृष्ट लाभ प्रदर्शन शामिल है। यह पूर्ण ब्रॉडबैंड रेंज पर स्थिर शक्ति और रैखिक विशेषताओं को बनाए रखता है, जो मल्टी-बैंड आरएफ पावर प्रवर्धन के लिए आदर्श है।

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