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BLA9H0912L-250G LDMOS एवियोनिक्स पावर ट्रांजिस्टर

I. उत्पाद अवलोकन BLA9H0912L-250G Ampleon का एक उच्च प्रदर्शन वाला LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है। विशेष रूप से 960 मेगाहर्ट्ज ~ 1215 मेगाहर्ट्ज एवियोनिक्स फ़्रीक्वेंसी बैंड के लिए डिज़ाइन किया गया, यह उच्च दक्षता, उत्कृष्ट कठोरता और बेहतर थर्मल...

100B102JW500XT 1000pf 1210 ±5% 500v

I. उत्पाद अवलोकन 100B102JW500XT KYOCERA AVX (पूर्व में अमेरिकन टेक्निकल सेरामिक्स, ATC) द्वारा 100B सीरीज पोर्सिलेन सुपरचिप® से एक उच्च-प्रदर्शन आरएफ/माइक्रोवेव मल्टीलेयर सिरेमिक कैपेसिटर (MLCC) है। उच्च क्यू-फैक्टर, अल्ट्रा-लो ईएसआर (समतुल्य...

100A2R0BW150XT 2pf 0505 ±0.1% 150V

I. उत्पाद अवलोकन 100A2R0BW150XT KYOCERA AVX (पूर्व में अमेरिकन टेक्निकल सेरामिक्स, ATC) द्वारा 100A सीरीज पोर्सिलेन सुपरचिप® से एक उच्च-प्रदर्शन आरएफ/माइक्रोवेव मल्टीलेयर सिरेमिक कैपेसिटर (MLCC) है। उच्च क्यू-फैक्टर, अल्ट्रा-लो ईएसआर (समतुल्य...

100A240JW150XT 24pf 0505 5% 150V

भाग संख्या: 100A240JW150XT निर्माता: अमेरिकन टेक्निकल सेरामिक्स (एटीसी), एक क्योसेरा एवीएक्स कंपनी उत्पाद प्रकार: उच्च क्यू, निम्न ईएसआर, पी90 तापमान गुणांक आरएफ और माइक्रोवेव मल्टीलेयर सिरेमिक कैपेसिटर (एमएलसीसी), एटीसी 100ए सीरीज सुपरचिप®...

600S3R0BW250XT 3.0pf 0603 ±0.1% 250V

भाग संख्या: 600S3R0BW250XT निर्माता: अमेरिकन टेक्निकल सेरामिक्स (एटीसी), एक क्योसेरा एवीएक्स कंपनी उत्पाद प्रकार: अल्ट्रा-लो ईएसआर, हाई क्यू, सी0जी/एनपी0 आरएफ और माइक्रोवेव मल्टीलेयर सिरेमिक कैपेसिटर (एमएलसीसी) पैकेज: 0603 (1608 मीट्रिक) सरफेस माउंट...

3.3पीएफ 0603 ±0.1% 250वी

भाग संख्या: 600S3R3BT250XT निर्माता: अमेरिकन टेक्निकल सेरामिक्स (एटीसी), एक क्योसेरा एवीएक्स कंपनी उत्पाद प्रकार: अल्ट्रा-लो ईएसआर, हाई क्यू, एनपीओ/सी0जी आरएफ और माइक्रोवेव मल्टीलेयर सिरेमिक कैपेसिटर (एमएलसीसी) पैकेज: 0603 (1608 मीट्रिक) सरफेस माउंट...

माइक्रोवेव मल्टीलेयर सिरेमिक चिप कैपेसिटर

मूल जानकारी निर्माता: अमेरिकन टेक्निकल सेरामिक्स (एटीसी), एक क्योसेरा एवीएक्स कंपनी उत्पाद प्रकार: अल्ट्रा-लो ईएसआर, हाई क्यू, एनपीओ (सी0जी) आरएफ और माइक्रोवेव मल्टीलेयर सिरेमिक चिप कैपेसिटर (एमएलसीसी) शृंखला: 600एस शृंखला (मानक ईआईए 0603 आकार) भाग...

BLF647P आरएफ MOSFET LDMOS 32V LDMOST

BLF647P अंग्रेजी अनुवाद BLF647P एक 200 W वाइडबैंड LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है जो Ampleon (पूर्व में NXP) द्वारा निर्मित है। इसकी ऑपरेटिंग फ़्रीक्वेंसी रेंज एचएफ से 1500 मेगाहर्ट्ज तक कवर करती है, जो मुख्य रूप से प्रसारण ट्रांसमिशन, औद्योगिक,...

उन्नत पावर LDMOS BLP15M9S70Z डिवाइस

भाग संख्या: Ampleon BLP15M9S70 डिवाइस प्रकार: एन-चैनल एलडीएमओएस आरएफ पावर ट्रांजिस्टर, 9वीं पीढ़ी की तकनीक, 32 वी आपूर्ति, ब्रॉडबैंड (1 मेगाहर्ट्ज-2 गीगाहर्ट्ज), आईएसएम/प्रसारण/सामान्य प्रयोजन आरएफ पावर एम्पलीफायरों के लिए अनुकूलित। 1. मुख्य...

3.6पीएफ 0603 ±0.25पीएफ 250वी

भाग संख्या：600S3R6CT250XT निर्माता: अमेरिकन टेक्निकल सेरामिक्स (एटीसी, अब क्योसेरा एवीएक्स) श्रेणी: आरएफ/माइक्रोवेव के लिए अल्ट्रा-लो ईएसआर, हाई क्यू, एनपीओ (सी0जी) मल्टीलेयर सिरेमिक कैपेसिटर (एमएलसीसी) विशेष विवरण धारिता: 3.6 पीएफ सहनशीलता: ±0.25...

आरएफ हाई-क्यू मल्टी-लेयर सिरेमिक चिप कैपेसिटर

बुनियादी जानकारी निर्माता: ATC (अमेरिकन टेक्निकल सेरामिक्स), एक KYOCERA AVX ब्रांड उत्पाद प्रकार: हाई-क्यू आरएफ मल्टीलेयर सिरेमिक चिप कैपेसिटर शृंखला: 100ए पोर्सिलेन सुपरचिप शृंखला भाग संख्या: 100A5R1BW150XT भाग संख्या स्पष्टीकरण 100ए: प्रीमियम उच्च...

BLC10G18XS-552AVT आरएफ MOSFET LDMOS

BLC10G18XS-552AVT एक पावर LDMOS ट्रांजिस्टर है BLC10G18XS-552AVT एम्प्लियन (नीदरलैंड्स) का 10वीं पीढ़ी का LDMOS एसिमेट्रिक डोहर्टी पावर ट्रांजिस्टर है, जो 1805-1880 मेगाहर्ट्ज (1.8 GHz) बैंड में 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशन फाइनल पावर एम्पलीफायरों के लिए...

BLC10G22XS-600AVT आरएफ MOSFET LDMOS

BLC10G22XS-600AVT एक पावर LDMOS ट्रांजिस्टर है BLC10G22XS-600AVT एम्पलॉन द्वारा 10वीं पीढ़ी का LDMOS असममित डोहर्टी पावर ट्रांजिस्टर है, जो 2110 ~ 2170 मेगाहर्ट्ज पर काम करता है। 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशनों और mMIMO फाइनल पावर एम्पलीफायरों के लिए...

B10G2527N10DLZ आरएफ मॉसफेट एमएमआईसी

2-चरण डोहर्टी एमएमआईसी B10G2527N10DL एक 2-चरण पूरी तरह से एकीकृत Doherty MMIC एम्पलीफायर है जो Ampleon की अत्याधुनिक LDMOS तकनीक पर आधारित है, जो 2500-2700MHz (2.5–2.7GHz) 5G NR मिड-बैंड बेस स्टेशनों, मल्टी-कैरियर संचार प्रणालियों और उच्च दक्षता...

C4H2350N10Z गैलियम नाइट्राइड आरएफ पावर ट्रांजिस्टर

मॉडल: C4H2350N10Z (बेस मॉडल: C4H2350N10) निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: गैलियम नाइट्राइड (GaN) आरएफ पावर ट्रांजिस्टर (सिंगल-गेट डिज़ाइन, ब्रॉडबैंड अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित) मुख्य विशिष्टताएँ विशेषताएं एवं लाभ अल्ट्रा-वाइड बैंडविड्थ कवरेज:...

C4H2327N55PZ आरएफ मॉसफेट गण

GaN पावर ट्रांजिस्टर मॉडल: C4H2327N55Pz (मानक मॉडल: C4H2327N55PZ) निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: गैलियम नाइट्राइड (GaN) पैकेज्ड डोहर्टी आरएफ पावर ट्रांजिस्टर (2.3-2.69 गीगाहर्ट्ज ब्रॉडबैंड बेस स्टेशन अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित) मुख्य...

BLM9D2527-09AMZ पावर LDMOS ट्रांजिस्टर

2-स्टेज डोहर्टी एमएमआईसी मॉडल: BLM9D2527-09AMZ (मानक मॉडल: BLM9D2527-09AM, Z टेप और रील पैकेजिंग को दर्शाता है) निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 9वीं पीढ़ी 28V एलडीएमओएस 2-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर (2.496-2.7...

BLM9D2324-08AMZ AMPLEON आरएफ एम्पलीफायर

2-चरण डोहर्टी एमएमआईसी मॉडल: BLM9D2324-08AMZ (मानक मॉडल: BLM9D2324-08AM, Z टेप और रील पैकेजिंग को दर्शाता है) निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 9वीं पीढ़ी 28V एलडीएमओएस 2-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर (2.3-2.4...

आरएफ पावर एम्पलीफायर B10G3336N16DL

B10G3336N16DL एक 2-स्टेज डोहर्टी MMIC है मॉडल: B10G3336N16DL निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 10वीं पीढ़ी 28V एलडीएमओएस 3-चरण पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर, 3.3-3.6 गीगाहर्ट्ज बैंड (5जी एनआर एन77/एन78 उच्च आवृत्ति बैंड...

BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ आरएफ पावर एम्पलीफायर

BLM9D3842-16AM LDMOS 3-चरण एकीकृत डोहर्टी MMIC मॉडल: BLM9D3842-16AMZ निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 9वीं पीढ़ी 28V एलडीएमओएस 3-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर, 3.8-4.2 गीगाहर्ट्ज बैंड (5जी एनआर एन77 ​​उच्च आवृत्ति...

BLM9D3740-16AM BLM9D3740-16AMZ आरएफ पावर एम्पलीफायर

BLM9D3438-16AM LDMOS 3-चरण एकीकृत डोहर्टी MMIC मॉडल: BLM9D3740-16AM निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 9वीं पीढ़ी 28V एलडीएमओएस 3-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर, 3.7-4.0 गीगाहर्ट्ज बैंड (5जी एनआर एन77 ​​उच्च-आवृत्ति...

BLP05H9S500P आरएफ MOSFET LDMOS

मॉडल: BLP05H9S500P निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: पुश-पुल एलडीएमओएस पावर ट्रांजिस्टर, 423-443 मेगाहर्ट्ज आईएसएम बैंड (औद्योगिक, वैज्ञानिक और चिकित्सा अनुप्रयोगों के लिए मुख्य आवृत्तियों, 433 मेगाहर्ट्ज मुख्यधारा के वायरलेस संचार और औद्योगिक...

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z आरएफ MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 Ampleon द्वारा निर्मित 250 W LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है, जिसे विशेष रूप से 2400-2500 मेगाहर्ट्ज (2.45 GHz ISM बैंड) में उच्च-शक्ति निरंतर-तरंग (CW) अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसे उच्च-प्रदर्शन वाले प्लास्टिक पैकेज...

CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT

भाग संख्या：CLL3H0914LS-700U निर्माता：Ampleon डिवाइस का प्रकार: L-बैंड, 700W GaN-SiC HEMT (गैलियम नाइट्राइड सिलिकॉन कार्बाइड हाई इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी ट्रांजिस्टर), आंतरिक रूप से प्री-मैचेड + स्थिरता नेटवर्क, 0.9-1.4 GHz, ईयरलेस फ़्लैंग्ड पैकेज, पल्स...