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BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ आरएफ MOSFET LDMOS

Ampleon द्वारा आपूर्ति किया गया, BLP15M9S70GZ 70W आउटपुट पावर के साथ एक बहुउद्देश्यीय LDMOS रेडियो फ्रीक्वेंसी पावर ट्रांजिस्टर है। यह अत्याधुनिक 9वीं पीढ़ी की 32V हाई-वोल्टेज LDMOS विनिर्माण प्रक्रिया को अपनाता है। छोटे आकार के SOT-1483-1 और...

BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ आरएफ MOSFET LDMOS

9वीं पीढ़ी की 32V हाई-वोल्टेज LDMOS तकनीक से तैयार, BLP15M9S100GZ Ampleon का 100W मल्टी-फंक्शनल RF पावर LDMOS ट्रांजिस्टर है। मिनी SOT-1483-1/TO-270-2F-2 सरफेस माउंट फॉर्म में पैक किया गया, यह 1500MHz UHF फ़्रीक्वेंसी रेंज के माध्यम से HF को कवर...

आरएफ MOSFET ट्रांजिस्टर BLC2425M10LS500P

BLC2425M10LS500P Ampleon का 500 W LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है, जो 2400-2500 MHz (2.45 GHz ISM बैंड) फ़्रीक्वेंसी रेंज में उच्च-शक्ति निरंतर-तरंग (CW) और स्पंदित अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित है, जिसमें उच्च शक्ति घनत्व और बेहतर दक्षता है। प्रमुख...

BLM10D2327-60ABG आरएफ पावर MMIC

BLM10D2327-60ABG LDMOS 2-चरण एकीकृत डोहर्टी MMIC मॉडल: BLM10D2327-60ABG निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 10वीं पीढ़ी 28V एलडीएमओएस 2-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर, 2.3-2.7GHz 5G NR ब्रॉडबैंड बेस स्टेशन अनुप्रयोगों...

आरएफ MOSFET ट्रांजिस्टर BLM10D3438-35ABZ

मॉडल: BLM10D3438-35ABZ निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: एलडीएमओएस 3-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत एसिमेट्रिकल डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर, 3.4-3.8 गीगाहर्ट्ज बैंड (5जी एनआर एन78 कोर बैंड और 4जी टीडीडी-एलटीई 3.5 गीगाहर्ट्ज मुख्यधारा बैंड को...

BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY आरएफ MOSFET LDMOS

मॉडल: BLP05H9S500P निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: पुश-पुल एलडीएमओएस पावर ट्रांजिस्टर, 423-443 मेगाहर्ट्ज आईएसएम बैंड (औद्योगिक, वैज्ञानिक और चिकित्सा अनुप्रयोगों के लिए मुख्य आवृत्तियों, 433 मेगाहर्ट्ज मुख्यधारा के वायरलेस संचार और औद्योगिक...

आरएफ MOSFET ट्रांजिस्टर BLF13H9L750P BLF13H9L750PU

पॉवरएलडीएमओएस ट्रांजिस्टर आरएफ MOSFET ट्रांजिस्टर BLF13H9L750P अल्ट्रा-हाई पावर डेंसिटी: 750W सीडब्ल्यू आउटपुट, विशेष रूप से 1.3GHz त्वरक अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो पारंपरिक क्लिस्ट्रॉन और वैक्यूम ट्यूब एम्पलीफायरों की जगह लेता है,...

BLF984P BLF984PU पावर LDMOS ट्रांजिस्टर

BLF984P Ampleon द्वारा निर्मित 450 W उच्च-शक्ति LDMOS RF ट्रांजिस्टर है, जिसे विशेष रूप से प्रसारण ट्रांसमीटर, डोहर्टी पावर एम्पलीफायर, क्लास-AB ट्रांसमीटर और 400-900 मेगाहर्ट्ज (UHF बैंड) में औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। उच्च...

BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z आरएफ MOSFET LDMOS

BLP0408H9S30Z एक 30 W मध्यम-शक्ति LDMOS RF ड्राइवर ट्रांजिस्टर है, जो Ampleon द्वारा निर्मित है, जो 9वीं पीढ़ी के उच्च-वोल्टेज (50V) LDMOS प्रक्रिया प्रौद्योगिकी को अपनाता है। इसे विशेष रूप से 400-860 मेगाहर्ट्ज (यूएचएफ बैंड) प्रसारण ट्रांसमीटरों,...

BLP15M9S100 BLP15M9S100Z आरएफ MOSFET LDMOS

BLP15M9S100Z एक 100 W सामान्य-उद्देश्य वाला LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है, जो Ampleon द्वारा निर्मित है, जो 9वीं पीढ़ी की हाई-वोल्टेज (32V) LDMOS प्रक्रिया प्रौद्योगिकी को अपनाता है। इसे विशेष रूप से एचएफ से 1500 मेगाहर्ट्ज (यूएचएफ बैंड के लिए उच्च...

B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ आरएफ मॉसफेट LDMOS

2-स्टेज डोहर्टी एमएमआईसी मॉडल: B10G4750N12DL निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 10वीं पीढ़ी 28V एलडीएमओएस 3-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर, 4.7-5.0 गीगाहर्ट्ज बैंड (5जी एनआर एन79 उच्च-आवृत्ति बैंड को कवर करने वाले)...

BLM9D3336-12AM BLM9D3336-12AMZ आरएफ पावर एम्पलीफायर

मॉडल: BLM9D3336-12AMZ निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: एलडीएमओएस 3-चरण पूरी तरह से एकीकृत असममित डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर, 3.3-3.65 गीगाहर्ट्ज बैंड (5 जी एनआर एन 78 कम आवृत्ति बैंड और 4 जी टीडीडी-एलटीई 3.5 गीगाहर्ट्ज बैंड को कवर करता...

उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए सिंगल लेयर सिरेमिक कैपेसिटर

एकल परत संधारित्र एसजी श्रृंखला सामान्य प्रयोजन प्रकार / एसएम श्रृंखला एज-विस्तारित प्रकार सिंगल-लेयर सिरेमिक कैपेसिटर एसजी श्रृंखला विश्वसनीय विद्युत विशेषताओं के साथ एक बहुमुखी, लागत प्रभावी समाधान प्रदान करती है, जो इसे मानक आरएफ और माइक्रोवेव...

BLP15H9S30 BLP15H9S30Z LDMOS ट्रांजिस्टर

अल्ट्रा-वाइडबैंड डिज़ाइन: एचएफ से 2 गीगाहर्ट्ज़ फ़्रीक्वेंसी रेंज को कवर करता है, जिससे कई बैंडों में डिवाइस प्रतिस्थापन की आवश्यकता समाप्त हो जाती है उच्च शक्ति लाभ: 21dB लाभ एम्पलीफायर श्रृंखला चरणों को कम करता है, डिजाइन जटिलता और लागत को कम करता...

BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U

BLF2425M9L30 Ampleon द्वारा निर्मित 30 W LDMOS RF ड्राइवर ट्रांजिस्टर है, जिसे विशेष रूप से 2400-2500 मेगाहर्ट्ज (2.45 GHz ISM बैंड) में उच्च-शक्ति निरंतर-तरंग (CW) अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसे उच्च-प्रदर्शन वाले सिरेमिक पैकेज...

BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U आरएफ MOSFET LDMOS

BLF2425M9LS140 एक 140 W उच्च-शक्ति LDMOS RF ट्रांजिस्टर है, जो Ampleon द्वारा निर्मित है, जो उन्नत M9-पीढ़ी RF प्रक्रिया को अपनाता है। इसे विशेष रूप से 2400-2500 मेगाहर्ट्ज (2.45 गीगाहर्ट्ज आईएसएम बैंड) में उच्च-शक्ति निरंतर-तरंग (सीडब्ल्यू)...

BLM9D2327-26BZ आरएफ पावर एम्पलीफायर

BLM9D2327-26B LDMOS 2-चरण एकीकृत डोहर्टी MMIC मॉडल: BLM9D2327-26BZ निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 9वीं पीढ़ी 28V एलडीएमओएस 2-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत असममित डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर, 2.3-2.7 गीगाहर्ट्ज बैंड (5जी एनआर एन78 और 4जी...

आरएफ MOSFET ट्रांजिस्टर BLM9D2327S-50PBG

BLM9D2327S-50PBG LDMOS 2-चरण एकीकृत डोहर्टी MMIC मॉडल: BLM9D2327S-50PBG निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 9वीं पीढ़ी 28V एलडीएमओएस डुअल-सेक्शन 2-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत असममित डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर, 2.3-2.7 गीगाहर्ट्ज बैंड (5जी...

BLM10D2327-40ABZ आरएफ पावर एम्पलीफायर

BLM10D2327-40AB LDMOS 2-चरण एकीकृत डोहर्टी MMIC मॉडल: BLM10D2327-40ABZ निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 10वीं पीढ़ी 28V एलडीएमओएस 2-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत असममित डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर, 2.5-2.7GHz 5G NR n78 बैंड छोटे सेल और बड़े...

BLM7G1822S-40PBG आरएफ FET LDMOS

BLM7G1822S-40PBG एक LDMOS 2-स्टेज पावर MMIC है BLM7G1822S-40PBG एक डुअल-सेक्शन, दो-स्टेज पावर MMIC एम्पलीफायर है जो Ampleon की GEN7 LDMOS तकनीक पर आधारित है, जो 1805–2170MHz (1.8–2.17GHz) 4G/5G बेस स्टेशनों, मल्टी-कैरियर संचार प्रणालियों और उच्च...

BLM9D1822S-60PBG 2-चरण पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी MMIC

BLM9D1822S-60PBG LDMOS 2-चरण एकीकृत डोहर्टी MMIC BLM9D1822S-60PBG एक दोहरी खंड, 2-चरण पूरी तरह से एकीकृत Doherty MMIC समाधान है जो Ampleon की अत्याधुनिक GEN9 LDMOS तकनीक का उपयोग करता है। प्रत्येक अनुभाग के लिए, कैरियर और पीकिंग डिवाइस, इनपुट...

उच्च निष्पादन एकल परत संधारित्र

हाई पावर आरएफ माइक्रोवेव सिरेमिक कैपेसिटर एकल परत संधारित्र निष्पादन मानक: GJB2442A-2021 "विफलता दर स्तर वाले सिंगल-लेयर सिरेमिक डाइइलेक्ट्रिक कैपेसिटर के लिए सामान्य विशिष्टता" विस्तृत विशिष्टता: Q/DLC20015-2019 "विफलता दर स्तर के...

हाई स्पीड ब्रॉडबैंड कैपेसिटर

0402BB हाई पावर आरएफ माइक्रोवेव सिरेमिक कैपेसिटर 0805BB(.080" x.050")0805BB103KW101 ब्रॉडबैंड कैपेसिटर उत्पाद की विशेषताएँ विशिष्ट ऑपरेटिंग आवृत्ति रेंज: 160 kHz (-3dB) से 3 GHz; सम्मिलन हानि: <0.25 डीबी (सामान्य मूल्य): रेटेड वोल्टेज...

वाइडबैंड आरएफ कैपेसिटर उच्च प्रदर्शन

0402BB एक हाई पावर आरएफ माइक्रोवेव सिरेमिक कैपेसिटर है 0402BB(.040"x.020")0402BB103KW500 वाइडबैंड आरएफ कैपेसिटर उत्पाद की विशेषताएँ विशिष्ट ऑपरेटिंग आवृत्ति रेंज: 16KHz (-3dB) से 40GHz: सम्मिलन हानि: <1dB (सामान्य मान): 50WVDC; पैकेजिंग...