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BLP9H10S-350A आरएफ MOSFET LDMOS 48V

ब्रांड और मॉडल：Ampleon BLP9H10S-350A डिवाइस प्रकार: असममित डोहर्टी, आंतरिक रूप से मिलान, एन-चैनल एलडीएमओएस आरएफ पावर ट्रांजिस्टर पैकेज: OMP780-4F-1 (7-पिन सिरेमिक पैकेज, उच्च ताप अपव्यय) फ़्रिक्वेंसी रेंज: 600 मेगाहर्ट्ज ~ 960 मेगाहर्ट्ज आपूर्ति...

C4H18W500A आरएफ MOSFET 48V

भाग संख्या：C4H18W500A निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: GaN (गैलियम नाइट्राइड), असममित डोहर्टी पावर ट्रांजिस्टर, 1800-2000 मेगाहर्ट्ज, 500 W पीक पावर, 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशन RF अंतिम-चरण प्रवर्धन के लिए समर्पित। मुख्य विशिष्टताएँ (Tcase=25°C,...

BLC9H10XS-606AZ आरएफ MOSFET LDMOS

भाग संख्या: BLC9H10XS-606A निर्माता: एम्प्लियन डिवाइस का प्रकार: 9वीं पीढ़ी का 48V LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर, एकीकृत इनपुट मिलान के साथ असममित डोहर्टी डिज़ाइन, उप-1GHz 4G/5G बेस स्टेशन अंतिम पावर एम्पलीफायर के लिए अनुकूलित। मुख्य विशिष्टताएँ...

BLC10G22XS-570AVT आरएफ MOSFET LDMOS 30V SOT1258

भाग संख्या：BLC10G22XS-570AVT निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: LDMOS, 30V असममित डोहर्टी आरएफ पावर ट्रांजिस्टर अनुप्रयोग: 4जी/5जी मैक्रो बेस स्टेशन एएयू और आरआरयू के लिए अंतिम पावर एम्पलीफायर, 2110 ~ 2180 मेगाहर्ट्ज (एन1/एन3/बी1/बी3 बैंड) मुख्य...

LDMOS BLC9H10XS-606AZ आरएफ MOSFET

भाग संख्या: BLC9H10XS-606A निर्माता: एम्प्लियन डिवाइस का प्रकार: 9वीं पीढ़ी का 48V LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर, एकीकृत इनपुट मिलान के साथ असममित डोहर्टी डिज़ाइन, उप-1GHz 4G/5G बेस स्टेशन अंतिम पावर एम्पलीफायर के लिए अनुकूलित। मुख्य विशिष्टताएँ...

AMPLEON BLC9H10XS-606AZ आरएफ MOSFET LDMOS

भाग संख्या: BLC9H10XS-606A निर्माता: एम्प्लियन डिवाइस का प्रकार: 9वीं पीढ़ी का 48V LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर, एकीकृत इनपुट मिलान के साथ असममित डोहर्टी डिज़ाइन, उप-1GHz 4G/5G बेस स्टेशन अंतिम पावर एम्पलीफायर के लिए अनुकूलित। मुख्य विशिष्टताएँ...

BLM9D2022-08AMZ 2स्टेज पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एलडीएमओएस एमएमआईसी

2-स्टेज डोहर्टी एमएमआईसी एलडीएमओएस 2-चरण एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी BLM9D2022-08AMZ Ampleon का 2-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी LDMOS MMIC पावर एम्पलीफायर है, जो Gen9 LDMOS तकनीक पर निर्मित है, जो 2110-2170 मेगाहर्ट्ज फ्रीक्वेंसी बैंड (जैसे, 5G...

B10G3438N55D B10G3438N55DZ आरएफ MOSFET LDMOS

2-स्टेज डोहर्टी एमएमआईसी मॉडल: B10G3438N55D निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 10वीं पीढ़ी 50V एलडीएमओएस 3-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत एसिमेट्रिकल डोहर्टी एमएमआईसी आरएफ पावर एम्पलीफायर, 3.4-3.8 गीगाहर्ट्ज बैंड (5जी एनआर एन78 कोर बैंड और 4जी...

BLM9D1819-08AMZ 2-चरण पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी

2-स्टेज डोहर्टी एमएमआईसी भाग संख्या: BLM9D1819-08AMZ (जिसे BLM9D1819-08AM भी कहा जाता है; प्रत्यय Z टेप-और-रील पैकेजिंग को इंगित करता है) निर्माता: एम्प्लियन डिवाइस का प्रकार: 9वीं पीढ़ी का एलडीएमओएस, 2-चरण पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी लक्ष्य...

AMPLEON B11G3338N81DXZ MOSFET LDMOS

2-स्टेज डोहर्टी एमएमआईसी भाग संख्या：B11G3338N81D निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: डुअल-सेक्शन 3-स्टेज पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी, उन्नत एलडीएमओएस तकनीक का उपयोग करते हुए, 3.3-3.8GHz 5G मैक्रो/छोटे सेल ड्राइवर एम्पलीफायरों के लिए अनुकूलित।...

B10G2022N10DLZ 2स्टेज 10W पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी MMIC

2-चरण डोहर्टी एमएमआईसी भाग संख्या：B10G2022N10DL निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: 2‑स्टेज 10W पूरी तरह से एकीकृत डोहर्टी एमएमआईसी (एलडीएमओएस), 2110-2170 मेगाहर्ट्ज (5जी एन1/4जी बी1), छोटे सेल / एमएमआईएमओ अंतिम एम्पलीफायर, उच्च‑एकीकरण उच्च दक्षता...

BLC10G22XS-551AVT आरएफ MOSFET LDMOS32V

पावर एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर BLC10G22XS-551AVT Ampleon द्वारा निर्मित एक उच्च-प्रदर्शन LDMOS पावर ट्रांजिस्टर है, जो 2.2GHz फ़्रीक्वेंसी बैंड में बेस स्टेशन और मल्टी-कैरियर RF पावर एम्पलीफायर अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित है। SOT1258-4 पैकेज में रखा...

BLC10G18XS-301AVT आरएफ MOSFET LDMOS

एचएफ/वीएचएफ पावर एलडीएमओएस BLC10G18XS-301AVT नीदरलैंड के एम्पलॉन द्वारा निर्मित 10वीं पीढ़ी का सिलिकॉन-आधारित एलडीएमओएस आरएफ पावर ट्रांजिस्टर है। यह एक असममित डोहर्टी आंतरिक मिलान वास्तुकला को अपनाता है, जो 1805-1880 मेगाहर्ट्ज पर संचालित होता है,...

BLC10G18XS-551AVT आरएफ MOSFET LDMOS

पावर एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर BLC10G18XS-551AVT Ampleon का एक असममित डोहर्टी LDMOS पावर ट्रांजिस्टर है, जो 1805-1880MHz (1.8GHz) 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशनों और मल्टी-कैरियर RF पावर एम्पलीफायरों के लिए अनुकूलित है। SOT1258-4 पैकेज में स्थित, यह उच्च...

BLC10G18XS-400AVT आरएफ MOSFET LDMOS

पावर एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर BLC10G18XS-400AVT Ampleon का एक असममित डोहर्टी LDMOS पावर ट्रांजिस्टर है, जो 1805-1880MHz (1.8GHz) 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशनों और मल्टी-कैरियर RF पावर एम्पलीफायरों के लिए अनुकूलित है। SOT1258-4 (एयर कैविटी प्लास्टिक इयरलेस)...

BLC10G19XS-601AVTZ आरएफ MOSFET LDMOS 30V

एचएफ/वीएचएफ पावर एलडीएमओएस भाग संख्या：BLC10G19XS-601AVT（प्रत्यय Z/Y: BLC10G19XS-601AVTZ） निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: एलडीएमओएस, असममित डोहर्टी पावर ट्रांजिस्टर, 1.93-1.995 गीगाहर्ट्ज, 650 डब्ल्यू पीक पावर, मैक्रो बेस स्टेशन / 5जी एनआर आरएफ...

BLC9G21LS-60AVZ आरएफ MOSFET LDMOS

पावर एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर BLC9G21LS-60AVZ एक डुअल एन-चैनल LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है जो Ampleon की Gen9 LDMOS तकनीक पर आधारित है, जो 1805–2200MHz (1.8–2.2GHz) 4G/5G बेस स्टेशनों, मल्टी-कैरियर संचार प्रणालियों और उच्च दक्षता वाले Doherty पावर...

आरएफ MOSFET ट्रांजिस्टर BLC10G27XS-551AVT

पावर एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर मॉडल: BLC10G27XS-551AVT निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 10वीं पीढ़ी 28V LDMOS पैकेज्ड असममित डोहर्टी पावर ट्रांजिस्टर, 2.62–2.69GHz 5G NR n78 बैंड मैक्रो बेस स्टेशन अंतिम-चरण पावर प्रवर्धन अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित...

BLC10G16XS-600AVT आरएफ MOSFET LDMOS 32V

एचएफ/वीएचएफ पावर एलडीएमओएस भाग संख्या：BLC10G16XS-600AVT निर्माता：Ampleon डिवाइस प्रकार: एलडीएमओएस, असममित डोहर्टी पावर ट्रांजिस्टर, 1.427-1.518 गीगाहर्ट्ज, 600W वर्ग, मैक्रो बेस स्टेशन आरएफ अंतिम-चरण प्रवर्धन के लिए समर्पित। मुख्य विशिष्टताएँ...

BLC10G18XS-360AVT आरएफ MOSFET LDMOS

पावर एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर BLC10G18XS-360AVT Ampleon का एक असममित Doherty LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है, जो 1805-1880MHz (1.8GHz) 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशनों और मल्टी-कैरियर पावर एम्पलीफायरों के लिए अनुकूलित है। SOT1258-4 (एयर-कैविटी प्लास्टिक इयरलेस)...

आरएफ MOSFET ट्रांजिस्टर BLC10G27XS-400AVTZ

पावर एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर मॉडल: BLC10G27XS-400AVT (मानक मॉडल: BLC10G27XS-400AVTZ, टेप और रील पैकेजिंग) निर्माता: एम्प्लियन उत्पाद प्रकार: 9वीं पीढ़ी 28V एलडीएमओएस पैकेज्ड असममित डोहर्टी आरएफ पावर ट्रांजिस्टर (2.496-2.69 गीगाहर्ट्ज बेस स्टेशन...

BLC10G19XS-600AVT आरएफ MOSFET LDMOS

एचएफ/वीएचएफ पावर एलडीएमओएस BLC10G19XS-600AVT एम्पलॉन द्वारा 10वीं पीढ़ी का LDMOS असममित डोहर्टी पावर ट्रांजिस्टर है, जो 1930 ~ 1995 मेगाहर्ट्ज पर काम करता है। 4G/5G मैक्रो बेस स्टेशनों और mMIMO फाइनल पावर एम्पलीफायरों के लिए अनुकूलित, यह 600W...

BLC10G19XS-551AV आरएफ MOSFET LDMOS

एचएफ/वीएचएफ पावर एलडीएमओएस BLC10G19XS-551AV एम्पलॉन (नीदरलैंड) द्वारा निर्मित 10वीं पीढ़ी का सिलिकॉन-आधारित LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है, जो 1930-2000 मेगाहर्ट्ज (1.9 गीगाहर्ट्ज बैंड) पर काम करने वाले 4G LTE और 5G NR मैक्रो बेस स्टेशनों में असममित...

BLC10G22XS-602AVT आरएफ MOSFET LDMOS 30V SOT1258

वीएचएफ पावर एलडीएमओएस BLC10G22XS-602AVT Ampleon (नीदरलैंड) द्वारा निर्मित 10वीं पीढ़ी का LDMOS RF पावर ट्रांजिस्टर है, जो 2110-2170 मेगाहर्ट्ज (2.1 GHz) बैंड में 4G LTE और 5G NR मैक्रो बेस स्टेशन मल्टी-कैरियर अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित है। यह उच्च...