BLC9H10XS-600A आरएफ MOSFET LDMOS

मुख्य विशिष्टताएँ

• फ़्रिक्वेंसी रेंज: 616 मेगाहर्ट्ज ~ 960 मेगाहर्ट्ज एम्प्लियन
• विशिष्ट आपूर्ति वोल्टेज：48 वी，अधिकतम वीडीएस：105 वी
• आउटपुट पावर：600 W (एकल वाहक W‑CDMA)Ampleon
• पावर गेन: 17.7 डीबी (टाइप)
• जल निकासी दक्षता：53.9% (डोहर्टी मोड)
• पैकेज：SOT1250‑2 इयरलेस फ्लैंज पैकेज (4 लीड)एम्पलॉन
• थर्मल प्रतिरोध (केस से जंक्शन): 0.42 K/W
• असभ्यता:10:1 वीएसडब्ल्यूआर पूर्ण-शक्ति झेलने की क्षमता
• विशेषताएँ: कम मेमोरी प्रभाव, डीपीडी संगत, अंतर्निहित ईएसडी सुरक्षा, एकीकृत इनपुट मिलान, उच्च रैखिकताएम्पलॉन

प्रमुख विशेषताऐं

• असममित डोहर्टी वास्तुकला उच्च दक्षता और उत्कृष्ट रैखिकताएम्प्लियन को संतुलित करती है।
• 5G NR और 4G LTE हाई-PAR, मल्टी-कैरियर सिग्नलAmpleon के लिए वाइडबैंड सब‑1GHz कवरेज।
• निकला हुआ किनारा पैकेज बेहतर गर्मी अपव्यय और दीर्घकालिक स्थिरता सुनिश्चित करता है; लोड बेमेलAmpleon के खिलाफ मजबूत।
• एकीकृत इनपुट मिलान बाहरी घटकों को कम करता है और एम्पलीफायर डिज़ाइन को सरल बनाता हैAmpleon।

विशिष्ट अनुप्रयोग

• 4जी/5जी मैक्रो बेस स्टेशन एएयू/आरआरयू के लिए अंतिम चरण पावर एम्पलीफायर;
• उप‑1GHz वाइडबैंड डोहर्टी पावर एम्पलीफायर मॉड्यूल;
• निजी वायरलेस नेटवर्क और सार्वजनिक सुरक्षा उच्च-शक्ति आरएफ ट्रांसमीटरAmpleon।

भाग संख्या परिभाषा

• बीएलसी: फ्लैंज-माउंटेड बेस स्टेशन एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर
• 9：9वीं पीढ़ी की एलडीएमओएस प्रक्रिया
• एच: उच्च शक्ति / उच्च दक्षता ग्रेड
• 10：616–960 मेगाहर्ट्ज फ़्रीक्वेंसी प्लेटफ़ॉर्म
• XS: उच्च प्रदर्शन, कम मेमोरी प्रभाव
• 600：600 W पावर रेटिंग
• ए: असममित डोहर्टी विन्यास