BLC9H10XS-60P आरएफ MOSFET LDMOS 50V SOT1273

मुख्य विशिष्टताएँ (Tcase=25°C, VDS=48V, 940MHz, वर्ग‑AB)

• फ़्रिक्वेंसी रेंज: 400 मेगाहर्ट्ज ~ 1000 मेगाहर्ट्ज
• नाली आपूर्ति वोल्टेज (वीडीएस): 48 वी (टाइप), अधिकतम 105 वीएम्प्लियन
• शांत धारा (आईडीक्यू): 110 एमए (प्रकार) एम्प्लियन
• P1dB आउटपुट पावर: 60 W (47.8 dBm, प्रकार)
• पावर गेन: 16.1 डीबी (टाइप)
• जल निकासी दक्षता：11.9% (प्रकार, वर्ग‑एबी, 1‑वाहक)
• रैखिकता (एसीपीआर)：-38 डीबीसी (प्रकार)
• पैकेज：SOT1273‑1 (4 लीड, सीसा रहित फ़्लैंग्ड पैकेज, उच्च तापीय अपव्यय)
• थर्मल प्रतिरोध (केस से जंक्शन): 2.8 K/W
• विशेषताएं：आंतरिक मिलान, ईएसडी सुरक्षा, ब्रॉडबैंड स्थिरता, उच्च बेमेल सहनशीलता (वीएसडब्ल्यूआर=10:1) एम्प्लियन

प्रमुख विशेषताऐं

• 9वीं पीढ़ी के एलडीएमओएस + सममित वास्तुकला: उच्च PAR मल्टी कैरियर सिग्नल के लिए उच्च लाभ, रैखिकता और ब्रॉडबैंड स्थिरता;
• 4जी एलटीई, 5जी एनआर, 3जी डब्ल्यू‑सीडीएमए, निजी/आईएसएम बैंड के लिए 400-1000 मेगाहर्ट्ज अल्ट्रा-वाइडबैंड कवरेज;
• सममित डुअल-पोल डिज़ाइन उच्च लचीलेपन के लिए सिंगल-एंडेड / पुश-पुल / ब्रिज टोपोलॉजी का समर्थन करता है;
• आंतरिक इनपुट प्री-मैचिंग बाहरी सर्किट को सरल बनाता है और डिज़ाइन चक्र को छोटा करता है;
• उच्च विश्वसनीयता के लिए एकीकृत ईएसडी सुरक्षा + उच्च असभ्यता लोड बेमेल (वीएसडब्ल्यूआर = 10: 1) का सामना करती है;
• सीसा रहित हरा पैकेज (पीवाई) आरओएचएस उत्कृष्ट थर्मल प्रदर्शन एम्प्लियन के अनुरूप है।

विशिष्ट अनुप्रयोग

• उप-1GHz (400-1000 मेगाहर्ट्ज) मैक्रो बेस स्टेशन ड्राइवर (350W/500W डोहर्टी ट्रांजिस्टर के लिए, उदाहरण के लिए, BLC9H10XS-350A/500A);
• 4G/5G मध्यम/लघु सेल अंतिम एम्पलीफायर (60W रैखिक परिदृश्य);
• निजी वायरलेस, सार्वजनिक सुरक्षा, आईएसएम बैंड 50-60W आरएफ ट्रांसमीटर;
• मल्टी-कैरियर हाई-पावर ट्रांसमीटर प्री-एम्प्लीफायर / ड्राइवर चरण।

भाग संख्या परिभाषा

• बीएलसी: सममित शक्ति एलडीएमओएस
• 9：9वीं पीढ़ी की एलडीएमओएस प्रक्रिया
• H10：400-1000 मेगाहर्ट्ज आवृत्ति बैंड
• XS: मानक सममित संस्करण
• 60：60W पावर रेटिंग (P1dB)
• पी: फ़्लैंग्ड हीट-माउंट पैकेज
• Y: सीसा रहित हरा संस्करण