अल्ट्रा-लो ईएसआर, आरएफ/माइक्रोवेव सिरेमिक डाइइलेक्ट्रिक कैपेसिटर

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मॉडल नं.: DLC75N(0201)

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DLC75N एक अल्ट्रा लो ESR हाई Q RF MLCC है

DLC75N अल्ट्रा-लो ईएसआर, आरएफ/माइक्रोवेव सिरेमिक डाइइलेक्ट्रिक कैपेसिटर

डीएलसी75एन(0201)

DLC75N कैपेसिटेंस टेबल

Capacitance (pF)	Code	Tolerance	Rated Voltage	Capacitance (pF)	Code	Tolerance	Rated Voltage	Capacitance (pF)	Code	Tolerance	Rated Voltage
0.2	0R2	A, B, C, D.	25V Code 250	1.7	1R7	A, B, C, D.	25V Code 250	6.2	6R2	B, C,	25V Code 250
0.3	0R3			1.8	1R8			6.8	6R8
0.4	0R4			1.9	1R9			7.5	7R5
0.5	0R5			2.0	2R0			8.2	8R2
0.6	0R6			2.1	2R1			9.1	9R1
0.7	0R7			2.2	2R2			10	100	F, G, J.
0.8	0R8			2.4	2R4			11	110
0.9	0R9			2.7	2R7			12	120
1.0	1R0			3.0	3R0			13	130
1.1	1R1			3.3	3R3			15	150
1.2	1R2			3.6	3R6			16	160
1.3	1R3			3.9	3R9			18	180
1.4	1R4			4.3	4R3
1.5	1R5			4.7	4R7
1.6	1R6			5.1	5R1
				5.6	5R6

घटक संख्या

DLC75N एंड कैप प्रकार और आकार

विद्युत प्रदर्शन

Item	Specification
Quality Factor (Q)	≥ 2000, measured at 1 ± 0.1 MHz, 1 ± 0.2 Vrms.
Insulation Resistance (IR)	≥ 10⁵ MΩ, at 25°C with rated voltage applied.
Rated Voltage (WVDC)	See capacitance table.
Dielectric Withstanding Voltage (DWV)	Apply 250% of rated voltage for 5 seconds.
Operating Temperature Range	-55°C ~ +150°C (Contact Dalicap Technology Co., Ltd. if higher temperature is required.)
Temperature Coefficient (TC)	0 ± 30 ppm/°C
Capacitance Drift	±0.2% or ±0.05 pF, whichever is greater.
Piezoelectric Effect	None

पर्यावरण प्रयोग

Item	Specification	Method
Resistance to Soldering Heat	Appearance: No mechanical damage. Capacitance change: -1.0% ~ +2.0% or 0.5pF, whichever is greater. Q factor: Greater than 1000. Insulation resistance: Not less than the initial required value.	Preheat at 150°C ~ 180°C for 1 minute, immerse in solder at 260±5°C for 10±1 seconds. Test after cooling for 24±2 hours.
Thermal Shock	Appearance: No mechanical damage. Capacitance change: Not exceeding 0.5% or 0.5pF, whichever is greater. Q factor: Greater than 2000. Insulation resistance: Not less than 30% of the initial required value. DWV: Complies with the initial required value.	Test in accordance with MIL-STD-202, Method 107, Condition A. Expose at extreme temperatures for 15 minutes. Transition time from minimum to maximum operating temperature shall not exceed 5 minutes, for 5 cycles.
Moisture Resistance	Appearance: No mechanical damage. Capacitance change: Not exceeding 0.5% or 0.5pF, whichever is greater. Q factor: Greater than 300. Insulation resistance: Not less than 30% of the initial required value. DWV: Complies with the initial required value.	Test in accordance with MIL-STD-202, Method 106.
Steady State Humidity	Appearance: No mechanical damage. Capacitance change: Not exceeding 0.3% or 0.3pF, whichever is greater. Q factor: Greater than 300. Insulation resistance: Complies with the initial required value.	Test in accordance with MIL-STD-202, Method 103, Condition A. Apply 1.5V DC voltage under conditions of 85°C temperature and 85% humidity for 240 hours continuously.
Life	Appearance: No mechanical damage. Capacitance change: Not exceeding 2.0% or 0.5pF, whichever is greater. Q factor: Greater than 500. Insulation resistance: Not less than 30% of the initial required value.	Test in accordance with MIL-STD-202, Method 108. Apply 2 times the rated voltage at the extreme temperature for 2000 hours.

DLC75N प्रदर्शन वक्र

संधारित्र के S21 वक्र पर, कई समानांतर अनुनाद बिंदु (V-आकार क्षीणन बिंदु) होते हैं। पहली समानांतर अनुनाद आवृत्ति एफपीआर सबसे कम समानांतर अनुनाद बिंदु की आवृत्ति है। यह सब्सट्रेट की मोटाई और ढांकता हुआ स्थिरांक से प्रभावित नहीं होता है, लेकिन यह संधारित्र की स्थापना दिशा से प्रभावित होता है। क्षैतिज दिशा का अर्थ है कि संधारित्र की आंतरिक इलेक्ट्रोड प्लेटें सब्सट्रेट के समानांतर हैं।

संधारित्र के इनपुट प्रतिबाधा [ज़िन] वक्र पर, कई श्रृंखला गुंजयमान बिंदु (वी-आकार क्षीणन बिंदु) होते हैं। पहली श्रृंखला गुंजयमान आवृत्ति FSR निम्नतम श्रृंखला गुंजयमान बिंदु की आवृत्ति है। इस बिंदु पर, इनपुट प्रतिबाधा Im[Zin] का काल्पनिक भाग शून्य है (Im[Zin] = 0)। FSR के नीचे, इनपुट प्रतिबाधा का वास्तविक भाग Re[Zin] और काल्पनिक भाग Im[Zin] आवृत्ति के साथ रैखिक रूप से नहीं बदलते हैं। एफएसआर का आकार निम्नलिखित कारकों से संबंधित है: संधारित्र के आंतरिक इलेक्ट्रोड की संरचना, सब्सट्रेट सामग्री, सब्सट्रेट मोटाई, सब्सट्रेट ढांकता हुआ स्थिरांक, सब्सट्रेट पर संधारित्र की स्थापना दिशा, और सब्सट्रेट पैड का आकार।

परिभाषा और माप की शर्तें:

परिभाषा: संधारित्र श्रृंखला में माइक्रोस्ट्रिप लाइन से जुड़ा हुआ है। यानी, कैपेसिटर को 50-ओम माइक्रोस्ट्रिप लाइन के दोनों सिरों के बीच एक गैप के साथ जोड़ा जाता है। माप की स्थिति: Ro3006 रोजर्स सब्सट्रेट 6.15 के ढांकता हुआ स्थिरांक के साथ, सब्सट्रेट की मोटाई क्षैतिज रूप से 10 मिलियन पर स्थापित है, माइक्रोस्ट्रिप गैप 6 मिलियन है, और माइक्रोस्ट्रिप की चौड़ाई 14.1 मिलियन है। संदर्भ तल नमूने के किनारे पर है। सभी डेटा मॉडलिथिक्स इंक द्वारा उत्पन्न विद्युत मॉडल से हैं, जो विभिन्न सब्सट्रेट्स पर बड़ी मात्रा में माप डेटा पर आधारित है।

गरम सामान