BLC9H10XS-350A आरएफ MOSFET LDMOS 50V SOT1273

मुख्य विशिष्टताएँ

• फ़्रिक्वेंसी रेंज：617 मेगाहर्ट्ज ~ 960 मेगाहर्ट्ज
• नाली आपूर्ति वोल्टेज (वीडीएस)：48 वी (टाइप), अधिकतम वीडीएस：105 वी
• आउटपुट पावर：350 W (1‑वाहक W‑CDMA, PAR=9.6 dB)
• पावर गेन: 18.9 डीबी (टाइप)
• जल निकासी दक्षता：55.1% (प्रकार)
• पैकेज：SOT1273‑1 इयरलेस फ्लैंग्ड कैविटी पैकेज (5 लीड)
• थर्मल प्रतिरोध (केस से जंक्शन): 0.32 K/W
• विशेषताएं: कम मेमोरी प्रभाव, डीपीडी-संगत, एकीकृत वाइडबैंड इनपुट मिलान, ईएसडी सुरक्षा

प्रमुख विशेषताऐं

• असममित डोहर्टी आर्किटेक्चर के साथ 9वीं पीढ़ी की एलडीएमओएस तकनीक उच्च शक्ति, दक्षता और रैखिकता प्रदान करती है;
• वाइडबैंड सब-1GHz कवरेज 4G LTE, 5G NR, 3G W‑CDMA और अन्य बहु-मानक उच्च-PAR सिग्नल का समर्थन करता है;
• एकीकृत वाइडबैंड इनपुट मिलान बाहरी सर्किट को सरल बनाता है और डिज़ाइन जटिलता को कम करता है;
• कम आउटपुट कैपेसिटेंस और कम मेमोरी प्रभाव जटिल मल्टी-कैरियर परिदृश्यों के लिए उत्कृष्ट डीपीडी प्रदर्शन सुनिश्चित करते हैं;
• कम तापीय प्रतिरोध बेहतर ताप अपव्यय और दीर्घकालिक परिचालन स्थिरता प्रदान करता है;
• अंतर्निहित ईएसडी सुरक्षा और RoHS अनुपालन उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित करते हैं।

विशिष्ट अनुप्रयोग

• 4जी/5जी मैक्रो बेस स्टेशन आरआरयू/एएयू (617-960 मेगाहर्ट्ज) के लिए अंतिम एम्पलीफायर;
• उप-1GHz बहु-वाहक उच्च-शक्ति ट्रांसमीटर;
• निजी वायरलेस नेटवर्क, सार्वजनिक सुरक्षा, आईएसएम बैंड उच्च शक्ति आरएफ उपकरण।

भाग संख्या परिभाषा

• बीएलसी: इयरलेस फ्लैंग्ड कैविटी पैकेज्ड बेस स्टेशन एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर
• 9：9वीं पीढ़ी की एलडीएमओएस प्रक्रिया
• एच: उच्च शक्ति / उच्च दक्षता ग्रेड
• 10：617–960 मेगाहर्ट्ज फ़्रीक्वेंसी प्लेटफ़ॉर्म
• XS: असममित डोहर्टी विन्यास
• 350：350 W पावर रेटिंग
• ए: मानक संस्करण