BLC9G21LS-60AVZ आरएफ MOSFET LDMOS

प्रमुख विशेषताऐं

• आरएफ प्रदर्शन: 1805-2200 मेगाहर्ट्ज पर संचालित होता है, ≥17.5dB विशिष्ट लाभ, 28V ड्रेन वोल्टेज (अधिकतम 65V), ≥30% विशिष्ट ड्रेन दक्षता के साथ 60W (47.8dBm) विशिष्ट आउटपुट पावर प्रदान करता है, मल्टी-कैरियर और DPD रैखिककरण का समर्थन करता है, 4G/5G बेस स्टेशन सख्त रैखिकता आवश्यकताओं के लिए आदर्श है।
• संरचना और पैकेज: उच्च शक्ति घनत्व डिजाइनों के लिए उत्कृष्ट थर्मल प्रदर्शन के साथ दोहरे ट्रांजिस्टर सामान्य-स्रोत कॉन्फ़िगरेशन, SOT1275-1 (DFM-6) बेस माउंट पैकेज; एकीकृत इनपुट मिलान नेटवर्क बाहरी सर्किटरी को सरल बनाता है।
• विश्वसनीयता और सुरक्षा: अंतर्निहित ईएसडी सुरक्षा, उच्च जंक्शन तापमान और लोड बेमेल का सामना करती है, डिकॉउलिंग पिन वीडियो बैंडविड्थ प्रदर्शन, उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, RoHS-अनुपालक को बढ़ाती है।
• डिजाइन संगतता: निरंतर तरंग (सीडब्ल्यू) और पल्स मोड का समर्थन करता है, सममित/असममित डोहर्टी सर्किट और सिंगल-एंडेड टोपोलॉजी के साथ संगत, 1.8GHz/2.1GHz/2.2GHz बैंड बेस स्टेशन ड्राइवर और अंतिम-चरण एम्पलीफायरों के लिए उपयुक्त।

विशिष्ट अनुप्रयोग

• 4जी/5जी बेस स्टेशन आरएफ ड्राइवर/अंतिम चरण एम्पलीफायर (1805-2200 मेगाहर्ट्ज बैंड)
• मल्टी-कैरियर डब्ल्यू-सीडीएमए/एलटीई/5जी एनआर संचार प्रणालियों के लिए उच्च दक्षता वाले डोहर्टी पावर एम्प्लीफिकेशन मॉड्यूल
• 1.8–2.2GHz वायरलेस संचार अवसंरचना आरएफ ट्रांसमीटर
• टीवी ट्रांसमीटर और औद्योगिक आरएफ अनुप्रयोग (आईएसएम बैंड)