BLC9G22LS-160VTZ आरएफ MOSFET LDMOS

प्रमुख विशेषताऐं

• आरएफ प्रदर्शन: 2000-2500 मेगाहर्ट्ज पर संचालित होता है, ≥13dB लाभ, 65V ड्रेन वोल्टेज के साथ 160W विशिष्ट आउटपुट पावर प्रदान करता है, जो 2.2GHz बैंड में मल्टी-कैरियर प्रवर्धन के लिए उपयुक्त है।
• संरचना और पैकेज: सिलिकॉन-आधारित एलडीएमओएस तकनीक, उत्कृष्ट गर्मी अपव्यय के साथ एसओटी1271-2 (7-पिन एयर-कैविटी मेटल) पैकेज, उच्च शक्ति घनत्व डिजाइनों के लिए आदर्श।
• विश्वसनीयता और अनुपालन: RoHS-अनुपालक, उच्च जंक्शन तापमान और लोड बेमेल का सामना करता है, दीर्घकालिक स्थिर संचालन के लिए एकीकृत ESD सुरक्षा।
• डिज़ाइन अनुकूलता: सर्किट डिज़ाइन को सरल बनाने के लिए आंतरिक रूप से पूर्व-मिलान, निरंतर तरंग (सीडब्ल्यू) और पल्स मोड का समर्थन करता है, विभिन्न आरएफ पावर एम्पलीफायर आर्किटेक्चर के साथ संगत।

विशिष्ट अनुप्रयोग

• 2.2GHz बैंड में 4G/5G बेस स्टेशन आरएफ पावर एम्पलीफायर
• टीवी ट्रांसमीटरों के लिए पावर प्रवर्धन मॉड्यूल
• औद्योगिक, वैज्ञानिक और चिकित्सा (आईएसएम) बैंड आरएफ स्रोत
• 2000-2500MHz वायरलेस संचार अवसंरचना