BLP9H10-30G आरएफ MOSFET LDMOS

मुख्य विशिष्टताएँ

• फ़्रिक्वेंसी रेंज：616 मेगाहर्ट्ज ~ 960 मेगाहर्ट्ज
• विशिष्ट आपूर्ति वोल्टेज：50 वी，अधिकतम वीडीएस：105 वी
• आउटपुट पावर：30 W (एकल वाहक W‑CDMA)
• पावर गेन: 18.3 डीबी (टाइप)
• जल निकासी दक्षता：13.5 % (प्रकार, कक्षा एबी)
• पैकेज：SOT1483‑1 प्लास्टिक छोटा आउटलाइन पैकेज (2 लीड)
• थर्मल प्रतिरोध (केस से जंक्शन): 1.7 K/W
• असभ्यता:10:1 वीएसडब्ल्यूआर पूर्ण-शक्ति झेलने की क्षमता
• विशेषताएं: उच्च लाभ, उच्च दक्षता, अंतर्निहित ईएसडी सुरक्षा, उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, ब्रॉडबैंड डिज़ाइन

प्रमुख विशेषताऐं

• 9वीं पीढ़ी की एलडीएमओएस तकनीक लाभ और दक्षता का इष्टतम संतुलन प्रदान करती है।
• वाइडबैंड सब-1GHz कवरेज 4G LTE, 3G W‑CDMA, 2G GSM/EDGE और अन्य बहु-मानक सिग्नल का समर्थन करता है।
• प्लास्टिक पैकेज, छोटे आकार और कम लागत, बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए उपयुक्त।
• लोड बेमेल (10:1 वीएसडब्ल्यूआर) के खिलाफ मजबूत, कठोर परिचालन स्थितियों के लिए उच्च विश्वसनीयता।

विशिष्ट अनुप्रयोग

• 4जी/3जी/2जी मैक्रो बेस स्टेशन आरआरयू/एएयू के लिए ड्राइवर एम्पलीफायर;
• उप‑1GHz के लिए कम शक्ति वाला अंतिम एम्पलीफायर (उदाहरण के लिए, छोटे सेल, पिको सेल);
• निजी वायरलेस नेटवर्क, सार्वजनिक सुरक्षा, आईएसएम बैंड उच्च-शक्ति ट्रांसमीटर।

भाग संख्या परिभाषा

• बीएलपी: प्लास्टिक-पैकेज्ड बेस स्टेशन एलडीएमओएस ट्रांजिस्टर
• 9：9वीं पीढ़ी की एलडीएमओएस प्रक्रिया
• एच: उच्च शक्ति / उच्च दक्षता ग्रेड
• 10：616–960 मेगाहर्ट्ज फ़्रीक्वेंसी प्लेटफ़ॉर्म
• 30：30 W पावर रेटिंग
• जी: मानक संस्करण