BLC10G15XS-301AVT आरएफ MOSFET LDMOS 30V

मुख्य विशिष्टताएँ (Tcase=25°C, VDS=30V, W-CDMA सिग्नल)

• फ़्रिक्वेंसी रेंज: 1452 मेगाहर्ट्ज ~ 1492 मेगाहर्ट्ज
• आपूर्ति वोल्टेज: 30 वी (टाइप), अधिकतम 65 वी
• शांत धारा：300mA (मुख्य)
• औसत आउटपुट पावर：56.3 W (47.5dBm)
• पीक आउटपुट पावर：305W (प्रकार)
• पावर गेन: 18.2 डीबी (टाइप)
• जल निकासी दक्षता：50.5% (प्रकार)
• ACPR：−27.8 dBc (प्रकार)
• इनपुट रिटर्न हानि：−14 डीबी (प्रकार)
• पैकेज: SOT1275-1, 6-लीड ईयरलेस फ्लैंज एयर-कैविटी पैकेज
• थर्मल प्रतिरोध (जेसी):0.20~0.24 के/डब्ल्यू
• असभ्यता:10:1 वीएसडब्ल्यूआर पूर्ण-चरण लोड बेमेल सहनशीलता

विशेषताएँ

1. 10वीं पीढ़ी की एलडीएमओएस प्रौद्योगिकी: दीर्घकालिक बेस स्टेशन संचालन के लिए उत्कृष्ट भार बेमेल सहनशीलता के साथ उच्च कठोरता;
2. एकीकृत असममित डोहर्टी आर्किटेक्चर: बेहतर रैखिकता के साथ उच्च-पीएपीआर 5जी एनआर और एलटीई मल्टी-कैरियर सिग्नल के लिए अनुकूलित;
3. ऑन-चिप इनपुट प्री-मैचिंग: बाहरी आरएफ डिज़ाइन को सरल बनाता है और विकास में तेजी लाता है;
4. कम मेमोरी प्रभाव: डीपीडी रैखिककरण के साथ उत्कृष्ट आसन्न चैनल अस्वीकृति सुनिश्चित करता है;
5. कम थर्मल प्रतिरोध: विश्वसनीय निरंतर उच्च-शक्ति संचालन सक्षम करता है;
6. एकीकृत ईएसडी सुरक्षा: विरोधी स्थैतिक क्षमता और दीर्घकालिक विश्वसनीयता को बढ़ाता है;
7. RoHS अनुरूप: पर्यावरण मानकों को पूरा करता है।

विशिष्ट अनुप्रयोग

• 5जी एन5 और 4जी बी5 बैंड के लिए मैक्रो बेस स्टेशन फाइनल एम्पलीफायर;
• 1452-1492 मेगाहर्ट्ज में मल्टी-कैरियर आरएफ ट्रांसमिट सिस्टम;
• उच्च शक्ति रैखिक आरएफ पावर एम्पलीफायर मॉड्यूल।

भाग संख्या परिभाषा

• बीएलसी: एम्पलॉन एलडीएमओएस पावर डिवाइस श्रृंखला;
• 10जी: 10वीं पीढ़ी की एलडीएमओएस प्रक्रिया;
• 15: 1.5GHz फ़्रीक्वेंसी बैंड (1452-1492MHz);
• एक्सएस: असममित डोहर्टी, मानक पैकेज;
• 301: 300W+ पीक पावर;
• एवीटी: इयरलेस फ्लैंज, वीडियो डिकूपलिंग के साथ एयर-कैविटी पैकेज।