C4H18W500A आरएफ MOSFET 48V SOT1273

मुख्य विशिष्टताएँ

• फ़्रिक्वेंसी रेंज：1800 मेगाहर्ट्ज ~ 2000 मेगाहर्ट्ज
• आपूर्ति वोल्टेज：48 वी (प्रकार)
• पीक आउटपुट पावर：500 डब्ल्यू
• पावर गेन: 15.0 डीबी (टाइप)
• जल निकासी दक्षता：59% (प्रकार)
• पैकेज: SOT1258-4, इयरलेस फ्लैंज एयर-कैविटी पैकेज
• कॉन्फ़िगरेशन: ऑन-चिप इनपुट मिलान के साथ एकीकृत असममित डोहर्टी
• मुख्य विशेषताएं: उच्च दक्षता वाली GaN तकनीक, कम मेमोरी प्रभाव, DPD संगत, 10:1 VSWR कठोरता

विशेषताएँ

1. उन्नत GaN सेमीकंडक्टर प्रक्रिया को अपनाता है, जो पारंपरिक LDMOS की तुलना में उच्च दक्षता और कम बिजली की खपत प्रदान करता है;
2. अंतर्निर्मित असममित डोहर्टी आर्किटेक्चर, उच्च-पीएपीआर मल्टी-कैरियर 5जी एनआर और एलटीई सिग्नल के लिए पूरी तरह से अनुकूलित;
3. एकीकृत वाइडबैंड इनपुट मिलान नेटवर्क बाहरी आरएफ घटकों को कम करता है और डिजाइन को तेज करता है;
4. कम मेमोरी प्रभाव डीपीडी सुधार के बाद उत्कृष्ट रैखिकता सुनिश्चित करता है;
5. स्थिर दीर्घकालिक बेस स्टेशन संचालन के लिए 10:1 पूर्ण-चरण लोड बेमेल सहनशीलता के साथ उच्च कठोरता;
6. निरंतर उच्च-शक्ति संचालन के लिए बेहतर ताप अपव्यय के साथ अनुकूलित फ़्लैंग्ड पैकेज।

विशिष्ट अनुप्रयोग

• 5G n39/n40 और 4G B39/B40 बैंड के लिए मैक्रो बेस स्टेशन अंतिम एम्पलीफायर
• ब्रॉडबैंड निजी नेटवर्क आरएफ ट्रांसमीटर सिस्टम
• उच्च-शक्ति रैखिक आरएफ पावर एम्पलीफायर मॉड्यूल

भाग संख्या परिभाषा

• C4: GaN पावर डिवाइस, 48V प्लेटफ़ॉर्म
• H18：1.8GHz फ़्रीक्वेंसी बैंड कवरेज（1800–2000MHz）
• W500:500 वॉट अधिकतम शक्ति
• ए: असममित डोहर्टी विन्यास