GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN

मुख्य विशिष्टताएँ (Tcase=25°C, VDS=50V, पल्स tp=100μs, δ=10%, वर्ग‑AB)

• फ़्रिक्वेंसी रेंज: 0.9 गीगाहर्ट्ज़ ~ 1.4 गीगाहर्ट्ज़ (एल-बैंड)
• नाली आपूर्ति वोल्टेज (वीडीएस): 50 वी (टाइप), अधिकतम 150 वीएम्प्लियन
• शांत धारा (आईडीक्यू):500 एमए (टाइप.)एम्प्लियन
• संतृप्त आउटपुट पावर (PL(sat))：700–800 W (58.5–59.0 dBm)Ampleon
• पावर गेन (जीपी): 16 डीबी (टाइप.) एम्प्लियन
• जल निकासी दक्षता (ηD): 62-71 % (प्रकार, 1.2-1.4 गीगाहर्ट्ज) एम्प्लियन
• इनपुट रिटर्न लॉस (आरलिन)：−10 ~ −16 डीबी (टाइप.)एम्प्लॉन
• पैकेज: SOT502A (फ़्लैंग्ड सिरेमिक, 2 लीड, उच्च तापीय अपव्यय) एम्पलॉन
• थर्मल प्रतिरोध (केस से जंक्शन): स्थिर अवस्था 0.38 K/W; पल्स (3ms) 0.24 K/WAmpleon
• विशेषताएँ: आंतरिक प्री-मैचिंग + स्थिरता नेटवर्क, ईएसडी सुरक्षा, उच्च बेमेल सहनशीलता, उच्च दक्षता, कम तापीय प्रतिरोधएम्प्लियन।

प्रमुख विशेषताऐं

• तीसरी पीढ़ी GaN‑SiC: उच्च शक्ति घनत्व, उच्च दक्षता, उच्च जंक्शन तापमान (225°C), LDMOS से बेहतर प्रदर्शन;
• 0.9-1.4 गीगाहर्ट्ज अल्ट्रा-वाइडबैंड: एल-बैंड रडार (960/1030/1090/1215 मेगाहर्ट्ज), एयरोस्पेस, ईसीएम;
• आंतरिक पूर्व-मिलान + स्थिरता: बाहरी मिलान को सरल बनाएं, डिज़ाइन चक्र को छोटा करें, ब्रॉडबैंड स्थिरता;
• उच्च असभ्यता: बेमेल सहनशील, पल्स स्पाइक प्रतिरोधी, लंबी/छोटी पल्स ऑपरेशन के लिए उपयुक्त;
• निकला हुआ किनारा सिरेमिक पैकेज: अल्ट्रा-कम थर्मल प्रतिरोध, उत्कृष्ट गर्मी लंपटता, दीर्घकालिक उच्च-शक्ति संचालन के लिए उच्च विश्वसनीयता;
• RoHS अनुरूप: सीसा रहित, पर्यावरण अनुकूल।

विशिष्ट अनुप्रयोग

• एल-बैंड पल्स रडार उच्च-शक्ति अंतिम एम्पलीफायर (700W वर्ग, 960-1215 मेगाहर्ट्ज);
• एयरोस्पेस 1030 मेगाहर्ट्ज ट्रांसपोंडर / डीएमई ट्रांसमीटर;
• इलेक्ट्रॉनिक काउंटरमेजर्स (ईसीएम), ब्रॉडबैंड हाई-पावर जैमर;
• औद्योगिक, वैज्ञानिक, चिकित्सा (आईएसएम) उच्च-आवृत्ति उच्च-शक्ति स्रोत;
• पुराने LDMOS (उदाहरण के लिए, BLL9G1214L-600) के लिए प्रतिस्थापन, बेहतर दक्षता और पावर घनत्व।

भाग संख्या परिभाषा

• सीएलएल: सी-बैंड/एल-बैंड, GaN HEMT, पावर ट्रांजिस्टर
• 3：तीसरी पीढ़ी की GaN प्रक्रिया
• H0914：0.9–1.4 GHz फ़्रीक्वेंसी बैंड
• एल: एल-बैंड, मानक निकला हुआ किनारा पैकेज
• 700：700W पावर रेटिंग (संतृप्त आउटपुट)