BLM8D1822S-50PBG आरएफ MOSFET LDMOS

प्रमुख विशेषताऐं

• आरएफ प्रदर्शन: 1805-2170 मेगाहर्ट्ज पर संचालित होता है, ≥28dB लाभ, 28V ड्रेन वोल्टेज, ≥45% विशिष्ट दक्षता के साथ 50W (47dBm) P1dB संतृप्त शक्ति प्रदान करता है, उत्कृष्ट रैखिकता के साथ मल्टी-कैरियर और DPD रैखिककरण का समर्थन करता है।
• उच्च एकीकरण: कैरियर/पीक ट्रांजिस्टर, इनपुट पावर स्प्लिटर, आउटपुट पावर कॉम्बिनर और बायस सर्किटरी को पूरी तरह से एकीकृत करता है, एक एकल चिप में पूर्ण डोहर्टी कार्यक्षमता को सक्षम करता है और बाहरी डिजाइन को सरल बनाता है।
• पूर्वाग्रह और संरक्षण: स्वतंत्र वाहक/पीक पूर्वाग्रह नियंत्रण के साथ एकीकृत तापमान-मुआवजा पूर्वाग्रह; अंतर्निहित ईएसडी सुरक्षा, उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, और उच्च विश्वसनीयता के लिए लोड बेमेल सहनशीलता।
• डिज़ाइन में आसानी: 50Ω इनपुट/आउटपुट प्रतिबाधा जटिल मिलान को समाप्त करती है; बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए स्वचालित असेंबली के साथ संगत पैकेज, छोटी कोशिकाओं और कॉम्पैक्ट पीए डिजाइनों के लिए आदर्श।

विशिष्ट अनुप्रयोग

• 4G/5G छोटे सेल अंतिम-चरण एम्पलीफायर (1.8–2.17GHz बैंड)
• 1805-2170 मेगाहर्ट्ज वायरलेस इंफ्रास्ट्रक्चर ड्राइवर एम्पलीफायर
• उच्च दक्षता, उच्च-रैखिकता बहु-वाहक संचार ट्रांसमीटर
• कॉम्पैक्ट आरएफ पावर एम्पलीफायर मॉड्यूल (औद्योगिक/आईएसएम बैंड)