B10G2327N55DZ आरएफ MOSFET LDMOS

प्रमुख विशेषताऐं

• आरएफ प्रदर्शन: 2300-2700 मेगाहर्ट्ज पर संचालित होता है, ≥30dB विशिष्ट लाभ के साथ 43.65W (~46.4dBm) P1dB संतृप्त शक्ति प्रदान करता है, 28V ड्रेन वोल्टेज (अधिकतम 65V), ≥35.7% विशिष्ट ड्रेन दक्षता, >400MHz वीडियो बैंडविड्थ, 0.3dB लाभ समतलता, मल्टी-कैरियर और DPD रैखिककरण का समर्थन करता है ACPR5M -38.5dBc तक नीचे, उत्कृष्ट रैखिकता सुनिश्चित करता है।
• एसिमेट्रिकल डोहर्टी आर्किटेक्चर: बिल्ट-इन एसिमेट्रिकल कैरियर/पीकिंग ट्रांजिस्टर, इनपुट स्प्लिटर, आउटपुट कंबाइनर और 30Ω आउटपुट प्रतिबाधा (एकीकृत प्री-मैच) के साथ आउटपुट मैचिंग नेटवर्क, जटिल बाहरी सर्किटरी को खत्म करता है और पीसीबी डिजाइन और डिबगिंग को सरल बनाता है।
• लचीला नियंत्रण और सुरक्षा: वाहक और शिखर पूर्वाग्रह का स्वतंत्र नियंत्रण विभिन्न शक्ति और रैखिकता आवश्यकताओं के लिए सटीक समायोजन की अनुमति देता है; अंतर्निहित ईएसडी सुरक्षा, रोलेट स्थिरता कारक >1, और 0.05डीबी/डिग्री सेल्सियस का कम लाभ तापमान गुणांक उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता और विश्वसनीयता सुनिश्चित करता है।
• थर्मल और पैकेजिंग लाभ: कम जंक्शन-टू-केस थर्मल प्रतिरोध बेहतर गर्मी अपव्यय को सक्षम बनाता है, निरंतर तरंग (सीडब्ल्यू) और पल्स मोड का समर्थन करता है, कॉम्पैक्ट 7 मिमी × 7 मिमी पीक्यूएफएन 20 पैकेज अंतरिक्ष-बाधित बेस स्टेशन आरएफ मॉड्यूल डिजाइन के लिए आदर्श है।

विशिष्ट अनुप्रयोग

• 2.3-2.7GHz मल्टी-बैंड 5जी एनआर/एलटीई बेस स्टेशन आरएफ ड्राइवर और अंतिम-चरण एम्पलीफायर
• बड़े पैमाने पर एमआईएमओ सिस्टम आरएफ ट्रांसमीटरों के लिए उच्च दक्षता वाले डोहर्टी पावर एम्प्लीफिकेशन मॉड्यूल
• मल्टी-कैरियर संचार प्रणालियाँ और वायरलेस संचार अवसंरचना आरएफ फ्रंट-एंड
• 2.3–2.7GHz छोटे मैक्रो और माइक्रो बेस स्टेशन पावर प्रवर्धन समाधान
• सामान्य प्रयोजन आरएफ परीक्षण उपकरण और औद्योगिक आरएफ अनुप्रयोग (आईएसएम बैंड)